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碳化硅晶體生長和加工技術研發及產業化團隊——中國科學院2020年度科技促進發展獎

發布時間: 2021/01/15 11:54,類別: 企業新聞

成果簡介:

  碳化硅(SiC) 晶體是一種性能優異的寬禁帶半導體材料,在發光器件、電力電子器件、射頻微波器件制備等領域具有廣泛的應用。但其晶體生長極其困難,只有少數發達國家掌握SiC晶體生長和加工技術。SiC晶體國產化,對避免我國寬禁帶半導體產業被卡脖子至關重要。團隊自1999 年以來,立足自主研發,從基礎研究到應用研究,突破了生長設備到高質量SiC晶體生長和加工等關鍵技術,形成了具有自主知識產權的完整技術路線,實現了SiC晶體國產化、產業化,產生了良好的經濟和社會效益,推動了我國寬禁帶半導體產業的發展。

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北京天科合達半導體股份有限公司

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SiC 單晶生長車間

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碳化硅晶圓的研發歷程

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獲得的專利和標準

社會效益和經濟效益:

  該成果形成了完整的自主知識產權,獲授權發明專利27項(其中包括6項國外專利),主持制定國家標準3項。成立了國內首家SiC晶體公司- 北京天科合達半導體股份有限公司,2019年新增銷售收入1.55億元,新增利潤2596萬元。北京天科合達已發展成為國際知名SiC單晶襯底生產商之一,引領和推動了我國寬禁帶半導體行業研究和產業鏈的發展。

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客戶代表

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2-6 英寸SiC 單晶襯底

推薦單位:

   中國科學院物理研究所 

 完成單位:

   中國科學院物理研究所 

 合作單位: 

  北京天科合達半導體股份有限公司 

 團隊成員:  

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